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IRF630S-VB
IC

TO-263(D2PAK)

可供量大可议

IRF630S-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench技术, 适用于中功率电力和电子应用, 为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能, 推动中功率应用领域的发展和应用TO263; N—Channel沟道, 200V; 10A; RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-263(D2PAK)

库存

5

货期

现货

IRF630S-VB参数

封装TO-263(D2PAK)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

IRF630S-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N沟道MOSFET, 采用Trench技术, 适用于中功率电力和电子应用, 为这些模块提供稳定可靠的功率开关功能, 推动中功率应用领域的发展和应用TO263; N—Channel沟道, 200V; 10A; RDS(ON)=300mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

IRF630S-VB特性

暂无产品特性。

IRF630S-VB应用领域

暂无应用领域。

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