IRF630PBF
自营可供
IC
TO-220AB
IRF630PBF
第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用中普遍受到青睐。 TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
品牌
VISHAY
封装
TO-220AB
交期
现货
批次
—
IRF630PBF参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | IRF630PBF |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00302 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 800pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:200V 电流:5.7A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
IRF630PBF概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在所有商用 - 工业应用中普遍受到青睐, 其功率耗散水平约为50瓦。 TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛认可。
IRF630PBF特性
- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合2002/95/EC号RoHS指令