IRF630P-VB
IC
TO-220AB-3
可供量大可议
IRF630P-VB
特性：DT-Trench功率MOSFET。 结温175℃。 PWM优化。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：初级侧开关
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB-3
库存
1
货期
现货
IRF630P-VB参数
| 封装 | TO-220AB-3 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IRF630P-VB概述
特性：DT-Trench功率MOSFET。 结温175℃。 PWM优化。 100% Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：初级侧开关
IRF630P-VB特性
暂无产品特性。
IRF630P-VB应用领域
暂无应用领域。