IRF60DM206
IC
DirectFET
可供量大可议
IRF60DM206
特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅， 符合RoHS标准。 应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
品牌
Infineon
封装
DirectFET
库存
1
货期
现货
IRF60DM206参数
| 封装 | DirectFET |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IRF60DM206概述
特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅， 符合RoHS标准。 应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
IRF60DM206特性
暂无产品特性。
IRF60DM206应用领域
暂无应用领域。