IRF5801TRPBF-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
IRF5801TRPBF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款低功耗、高性能的单路N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块。 SOT23-6； N—Channel沟道, 200V； 4A； RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
134
货期
现货
IRF5801TRPBF-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 134 |
IRF5801TRPBF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款低功耗、高性能的单路N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块。 SOT23-6； N—Channel沟道, 200V； 4A； RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
IRF5801TRPBF-VB特性
暂无产品特性。
IRF5801TRPBF-VB应用领域
暂无应用领域。