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IRF540ZPBF-JSM
IC

TO-220-3

可供量大可议

IRF540ZPBF-JSM

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):110W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):30mΩ@10A, 10V

品牌

JSMSEMI

封装

TO-220-3

库存

80

货期

现货

IRF540ZPBF-JSM参数

封装TO-220-3
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存80

IRF540ZPBF-JSM概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):110W JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):30mΩ@10A, 10V

IRF540ZPBF-JSM特性

暂无产品特性。

IRF540ZPBF-JSM应用领域

暂无应用领域。

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