IRF530S-VB
IC
TO-263-2
可供量大可议
IRF530S-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要散热性能较好的应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 20A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263-2
库存
39
货期
现货
IRF530S-VB参数
| 封装 | TO-263-2 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39 |
IRF530S-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺， 适用于需要散热性能较好的应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 20A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
IRF530S-VB特性
暂无产品特性。
IRF530S-VB应用领域
暂无应用领域。