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IRF5210PBF
IC

TO-220AB

可供量大可议

IRF5210PBF

场效应管(MOSFET) 200W 100V 40A 1个P沟道

品牌

Infineon

封装

TO-220AB

库存

45,177

货期

现货

IRF5210PBF参数

封装TO-220AB
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)2.7nF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)790pF
分类场效应管(MOSFET)
库存45,177
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)200W
栅极电荷量(Qg)180nC@10V
反向传输电容(Crss)450pF
类型P沟道

IRF5210PBF概述

场效应管(MOSFET) 200W 100V 40A 1个P沟道

IRF5210PBF特性

暂无产品特性。

IRF5210PBF应用领域

暂无应用领域。

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