IRF4905STRLPBF-VB
IC
TO-263
可供量大可议
IRF4905STRLPBF-VB
台积电流片, 长电科技封装; TO263; P—Channel沟道; -60V; -80A; RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-1.7V; 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
5
货期
现货
IRF4905STRLPBF-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IRF4905STRLPBF-VB概述
台积电流片, 长电科技封装; TO263; P—Channel沟道; -60V; -80A; RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-1.7V; 采用Trench技术
IRF4905STRLPBF-VB特性
暂无产品特性。
IRF4905STRLPBF-VB应用领域
暂无应用领域。
