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IRF4905STRLPBF-VB
IC

TO-263

可供量大可议

IRF4905STRLPBF-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO263; P—Channel沟道; -60V; -80A; RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-1.7V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

TO-263

库存

5

货期

现货

IRF4905STRLPBF-VB参数

封装TO-263
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

IRF4905STRLPBF-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO263; P—Channel沟道; -60V; -80A; RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=-1.7V; 采用Trench技术

IRF4905STRLPBF-VB特性

暂无产品特性。

IRF4905STRLPBF-VB应用领域

暂无应用领域。

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