IRF3007PBF
IC
TO-220AB
可供量大可议
IRF3007PBF
这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术， 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 可广泛应用于各种领域
品牌
Infineon
封装
TO-220AB
库存
5
货期
现货
IRF3007PBF参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IRF3007PBF概述
这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术， 以实现单位硅片面积极低的导通电阻。 该HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效可靠的器件， 可广泛应用于各种领域
IRF3007PBF特性
暂无产品特性。
IRF3007PBF应用领域
暂无应用领域。