IRF2804STRLPBF
IC
D2PAK
可供量大可议
IRF2804STRLPBF
这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术， 以实现极低的单位硅片面积导通电阻。 该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效且可靠的器件， 可广泛应用于各种其他领域
品牌
Infineon
封装
D2PAK
库存
813
货期
现货
IRF2804STRLPBF参数
| 封装 | D2PAK |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 813 |
IRF2804STRLPBF概述
这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术， 以实现极低的单位硅片面积导通电阻。 该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特性相结合， 使该设计成为一款极其高效且可靠的器件， 可广泛应用于各种其他领域
IRF2804STRLPBF特性
暂无产品特性。
IRF2804STRLPBF应用领域
暂无应用领域。