IRF150P221
IC
TO-247-3
可供量大可议
IRF150P221
特性：极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻（品质因数FOM）。 优化的反向恢复电荷Qrr。 工作温度可达175°C。 产品通过JEDEC标准验证。 优化了分销合作伙伴的供货能力
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
401
货期
现货
IRF150P221参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 401 |
IRF150P221概述
特性：极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻（品质因数FOM）。 优化的反向恢复电荷Qrr。 工作温度可达175°C。 产品通过JEDEC标准验证。 优化了分销合作伙伴的供货能力
IRF150P221特性
暂无产品特性。
IRF150P221应用领域
暂无应用领域。