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IRF1407STRLPBF
IC

TO-263AB

可供量大可议

IRF1407STRLPBF

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术, 每单位硅面积可实现极低的导通电阻。 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D2Pak是一种表面贴装功率封装, 能够容纳高达HEX-4的管芯尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。 由于其内部连接电阻低, D2Pak适用于大电流应用, 在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本适用于薄型应用。

品牌

Infineon

封装

TO-263AB

库存

8

货期

现货

IRF1407STRLPBF参数

封装TO-263AB
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存8

IRF1407STRLPBF概述

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的处理技术, 每单位硅面积可实现极低的导通电阻。 结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件, 可用于各种应用。 D2Pak是一种表面贴装功率封装, 能够容纳高达HEX-4的管芯尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。 由于其内部连接电阻低, D2Pak适用于大电流应用, 在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本适用于薄型应用。

IRF1407STRLPBF特性

暂无产品特性。

IRF1407STRLPBF应用领域

暂无应用领域。

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