IRF1310NSTRR-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
IRF1310NSTRR-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 具有高性能和可靠性， 采用Trench工艺制造， 适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 45A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
50
货期
现货
IRF1310NSTRR-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 127W |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
| 商品型号 | IRF1310NSTRR-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0016 |
IRF1310NSTRR-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 具有高性能和可靠性， 采用Trench工艺制造， 适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 45A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
IRF1310NSTRR-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
IRF1310NSTRR-VB应用领域
- 原边开关
- 同步整流
- 直流/交流逆变器
- LED背光