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IRF1310NSTRLPBF
IC

D2PAK

可供量大可议

IRF1310NSTRLPBF

第五代HEXFET采用先进的处理技术, 在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。 结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件, 可用于各种应用。 D²Pak是一种表面贴装功率封装, 能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。 由于其较低的内部连接电阻, D²Pak适用于大电流应用, 在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本适用于低外形应用。

品牌

Infineon

封装

D2PAK

库存

19

货期

现货

IRF1310NSTRLPBF参数

封装D2PAK
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存19

IRF1310NSTRLPBF概述

第五代HEXFET采用先进的处理技术, 在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。 结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计, 为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件, 可用于各种应用。 D²Pak是一种表面贴装功率封装, 能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。 由于其较低的内部连接电阻, D²Pak适用于大电流应用, 在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本适用于低外形应用。

IRF1310NSTRLPBF特性

暂无产品特性。

IRF1310NSTRLPBF应用领域

暂无应用领域。

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