IRF1010ZSTRLPBF

此HEXFET功率MOSFET采用最新处理技术， 在单位硅面积上实现极低导通电阻。 该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。 这些特点结合在一起， 使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。