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IRF100S201-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

IRF100S201-HXY

IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-263封装, 专为大电流、高效率应用设计。 器件能在100V电压下稳定工作, 并支持高达260A的连续电流, 尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。 其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ, 有效降低功耗, 大幅提升系统能效。 IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

227

货期

现货

IRF100S201-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存227

IRF100S201-HXY概述

IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-263封装, 专为大电流、高效率应用设计。 器件能在100V电压下稳定工作, 并支持高达260A的连续电流, 尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。 其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ, 有效降低功耗, 大幅提升系统能效。 IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。

IRF100S201-HXY特性

暂无产品特性。

IRF100S201-HXY应用领域

暂无应用领域。

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