IRF100S201-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
IRF100S201-HXY
IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-263封装, 专为大电流、高效率应用设计。 器件能在100V电压下稳定工作, 并支持高达260A的连续电流, 尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。 其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ, 有效降低功耗, 大幅提升系统能效。 IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
227
货期
现货
IRF100S201-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 227 |
IRF100S201-HXY概述
IRF100S201 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-263封装, 专为大电流、高效率应用设计。 器件能在100V电压下稳定工作, 并支持高达260A的连续电流, 尤其适用于大型电源系统、设备开关和电源转换。 其卓越的导通电阻仅为2.4mΩ, 有效降低功耗, 大幅提升系统能效。 IRF100S201 MOS管是您实现强大电力传输和节能环保的理想选择。
IRF100S201-HXY特性
暂无产品特性。
IRF100S201-HXY应用领域
暂无应用领域。
