IRF100P219AKMA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IRF100P219AKMA1
特性：极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。 优化的反向恢复电荷Qrr。 工作温度可达175℃。 产品通过JEDEC标准验证。 优化了从分销合作伙伴处的供货情况
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
143
货期
现货
IRF100P219AKMA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 143 |
IRF100P219AKMA1概述
特性：极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。 优化的反向恢复电荷Qrr。 工作温度可达175℃。 产品通过JEDEC标准验证。 优化了从分销合作伙伴处的供货情况
IRF100P219AKMA1特性
暂无产品特性。
IRF100P219AKMA1应用领域
暂无应用领域。