IR35412MTRPBF

新的集成功率级将最先进的低压MOSFET技术与最新的驱动器设计相结合。 这些技术集成到成熟的多芯片PQFN封装中， 为客户提供了用于管理处理器电源的一流高效设备。 双边缘调整死区时间可显著提高峰值效率。 内部MOSFET RDS(on)电流检测（通过专用开尔文接地连接）和集成温度补偿， 与电感DCR检测方法相比， 可实现卓越的电流检测精度。 新一代集成功率级还提供具有可编程阈值和故障标志的逐周期过流保护。 此外， 可编程恒定电流限制OCSET允许用户设置特定的电流限制。 欠压锁定（UVLO）保护支持系统启动期间的稳定运行。 针对服务器、电信和数据通信应用中的CPU核心以及GPU和DDR内存电源进行了优化。