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IQE065N10NM5SCATMA1
自营可供
IC

TSON-8

IQE065N10NM5SCATMA1

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化, 例如同步整流。 N沟道。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 卓越的引脚镀层; 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤

品牌

Infineon

封装

TSON-8

交期

现货

批次

—

IQE065N10NM5SCATMA1参数

封装TSON-8
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)100W
栅极电荷量(Qg)43nC@10V
反向传输电容(Crss)32pF
类型N沟道
商品名称OptiMOs 5功率晶体管, 100 V
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存1
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3.8V
输入电容(Ciss)3nF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)440pF
商品型号IQE065N10NM5SCATMA1
单位个
商品重量0.0003

IQE065N10NM5SCATMA1概述

特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化, 例如同步整流。 N沟道。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 卓越的引脚镀层; 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤

IQE065N10NM5SCATMA1特性

  • 针对高性能开关模式电源(SMPS)优化, 如同步整流
  • N沟道
  • 100%雪崩测试
  • 出色的热阻性能
  • 无铅引脚镀层
  • 符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准无卤

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