IQE013N04LM6CGSCATMA1
IC
PG-WHTFN-9(3.2x3.2)
可供量大可议
IQE013N04LM6CGSCATMA1
特性：针对同步整流进行优化。 N沟道， 逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
PG-WHTFN-9(3.2x3.2)
库存
88
货期
现货
IQE013N04LM6CGSCATMA1参数
| 封装 | PG-WHTFN-9(3.2x3.2) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 88 |
IQE013N04LM6CGSCATMA1概述
特性：针对同步整流进行优化。 N沟道， 逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IQE013N04LM6CGSCATMA1特性
暂无产品特性。
IQE013N04LM6CGSCATMA1应用领域
暂无应用领域。