IQE008N03LM5CGSCATMA1
IC
WHTFN-9
可供量大可议
IQE008N03LM5CGSCATMA1
N沟道逻辑电平、低导通电阻、通过雪崩测试的30V功率MOSFET， 适用于高性能开关电源
品牌
Infineon
封装
WHTFN-9
库存
65
货期
现货
IQE008N03LM5CGSCATMA1参数
| 封装 | WHTFN-9 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
IQE008N03LM5CGSCATMA1概述
N沟道逻辑电平、低导通电阻、通过雪崩测试的30V功率MOSFET， 适用于高性能开关电源
IQE008N03LM5CGSCATMA1特性
暂无产品特性。
IQE008N03LM5CGSCATMA1应用领域
暂无应用领域。