IQE008N03LM5CGATMA1
IC
TTFN-9-1
可供量大可议
IQE008N03LM5CGATMA1
特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化， 例如同步整流。 在VDS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TTFN-9-1
库存
59
货期
现货
IQE008N03LM5CGATMA1参数
| 封装 | TTFN-9-1 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
IQE008N03LM5CGATMA1概述
特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化， 例如同步整流。 在VDS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
IQE008N03LM5CGATMA1特性
暂无产品特性。
IQE008N03LM5CGATMA1应用领域
暂无应用领域。