IQE006NE2LM5CGSCATMA1
IC
WHTFN-9
可供量大可议
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
特性：极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道， 逻辑电平。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
WHTFN-9
库存
60
货期
现货
IQE006NE2LM5CGSCATMA1参数
| 封装 | WHTFN-9 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
IQE006NE2LM5CGSCATMA1概述
特性：极低导通电阻 RDS(on)。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道， 逻辑电平。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IQE006NE2LM5CGSCATMA1特性
暂无产品特性。
IQE006NE2LM5CGSCATMA1应用领域
暂无应用领域。