IQDH29NE2LM5CGATMA1
IC
WHTFN-9
可供量大可议
IQDH29NE2LM5CGATMA1
特性：N沟道， 逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
WHTFN-9
库存
2
货期
现货
IQDH29NE2LM5CGATMA1参数
| 封装 | WHTFN-9 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IQDH29NE2LM5CGATMA1概述
特性：N沟道， 逻辑电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤
IQDH29NE2LM5CGATMA1特性
暂无产品特性。
IQDH29NE2LM5CGATMA1应用领域
暂无应用领域。