IQD020N10NM5SCATMA1
IC
SON-8(5x6)
可供量大可议
IQD020N10NM5SCATMA1
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低的导通电阻 RDS(on)。 卓越的热阻。 针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JECL1249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
SON-8(5x6)
库存
68
货期
现货
IQD020N10NM5SCATMA1参数
| 封装 | SON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 68 |
IQD020N10NM5SCATMA1概述
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低的导通电阻 RDS(on)。 卓越的热阻。 针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JECL1249-2-21 标准无卤
IQD020N10NM5SCATMA1特性
暂无产品特性。
IQD020N10NM5SCATMA1应用领域
暂无应用领域。