IQD020N10NM5CGSCATMA1
IC
PG-WHTFN-9
可供量大可议
IQD020N10NM5CGSCATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 优化设计， 适用于双面冷却。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JECL1249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
PG-WHTFN-9
库存
6
货期
现货
IQD020N10NM5CGSCATMA1参数
| 封装 | PG-WHTFN-9 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
IQD020N10NM5CGSCATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 优化设计， 适用于双面冷却。 100%雪崩测试。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JECL1249-2-21标准无卤
IQD020N10NM5CGSCATMA1特性
暂无产品特性。
IQD020N10NM5CGSCATMA1应用领域
暂无应用领域。