IQD005N04NM6CGATMA1
IC
TTFN-9
可供量大可议
IQD005N04NM6CGATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻性能。 100%雪崩测试。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准， 无卤
品牌
Infineon
封装
TTFN-9
库存
95
货期
现货
IQD005N04NM6CGATMA1参数
| 封装 | TTFN-9 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
IQD005N04NM6CGATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻性能。 100%雪崩测试。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准， 无卤
IQD005N04NM6CGATMA1特性
暂无产品特性。
IQD005N04NM6CGATMA1应用领域
暂无应用领域。