IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY
这款N沟道场效应管专为高电流密度应用设计, 具备40V的漏源击穿电压, 最大栅源电压可达20V。 其核心优势在于极低的导通电阻, 仅为4.2mΩ, 这意味着在导通状态下能显著降低功率损耗。 该器件能够承载高达70A的连续漏极电流, 适合处理大功率负载。 在实际应用中, 它常被用于大电流开关电源和DC-DC转换器中, 利用其低阻抗特性提升整体能效。 此外, 它也适用于电机驱动电路, 能够应对启动和运行时的瞬时大电流冲击, 确保系统的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
38
货期
现货
IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高电流密度应用设计, 具备40V的漏源击穿电压, 最大栅源电压可达20V。 其核心优势在于极低的导通电阻, 仅为4.2mΩ, 这意味着在导通状态下能显著降低功率损耗。 该器件能够承载高达70A的连续漏极电流, 适合处理大功率负载。 在实际应用中, 它常被用于大电流开关电源和DC-DC转换器中, 利用其低阻抗特性提升整体能效。 此外, 它也适用于电机驱动电路, 能够应对启动和运行时的瞬时大电流冲击, 确保系统的稳定运行。
IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
