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IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY

这款N沟道场效应管专为高电流密度应用设计, 具备40V的漏源击穿电压, 最大栅源电压可达20V。 其核心优势在于极低的导通电阻, 仅为4.2mΩ, 这意味着在导通状态下能显著降低功率损耗。 该器件能够承载高达70A的连续漏极电流, 适合处理大功率负载。 在实际应用中, 它常被用于大电流开关电源和DC-DC转换器中, 利用其低阻抗特性提升整体能效。 此外, 它也适用于电机驱动电路, 能够应对启动和运行时的瞬时大电流冲击, 确保系统的稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

38

货期

现货

IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存38

IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高电流密度应用设计, 具备40V的漏源击穿电压, 最大栅源电压可达20V。 其核心优势在于极低的导通电阻, 仅为4.2mΩ, 这意味着在导通状态下能显著降低功率损耗。 该器件能够承载高达70A的连续漏极电流, 适合处理大功率负载。 在实际应用中, 它常被用于大电流开关电源和DC-DC转换器中, 利用其低阻抗特性提升整体能效。 此外, 它也适用于电机驱动电路, 能够应对启动和运行时的瞬时大电流冲击, 确保系统的稳定运行。

IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPZ40N04S5L4R8ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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