IPW65R190CFD-VB
IC
TO-247AC
可供量大可议
IPW65R190CFD-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO247； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V； 是一款单N沟道MOSFE， 采用SJ_Multi-EPI技术制造， 适用于不同的电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-247AC
库存
2
货期
现货
IPW65R190CFD-VB参数
| 封装 | TO-247AC |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPW65R190CFD-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO247； N—Channel沟道, 650V； 20A； RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2.5~4.5V； 是一款单N沟道MOSFE， 采用SJ_Multi-EPI技术制造， 适用于不同的电子领域和模块。
IPW65R190CFD-VB特性
暂无产品特性。
IPW65R190CFD-VB应用领域
暂无应用领域。