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IPW65R125CFD7XKSA1-VB
IC

TO-247

可供量大可议

IPW65R125CFD7XKSA1-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO247; N—Channel沟道, 650V; 20A; RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V, VGS=±30V; Vth=3.5V; 采用SJ_Multi-EPI技术

品牌

VBsemi

封装

TO-247

库存

5

货期

现货

IPW65R125CFD7XKSA1-VB参数

封装TO-247
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

IPW65R125CFD7XKSA1-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO247; N—Channel沟道, 650V; 20A; RDS(ON)=160(mΩ)@VGS=10V, VGS=±30V; Vth=3.5V; 采用SJ_Multi-EPI技术

IPW65R125CFD7XKSA1-VB特性

暂无产品特性。

IPW65R125CFD7XKSA1-VB应用领域

暂无应用领域。

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