IPW65R110CFDAFKSA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A， 漏源电压耐受能力达650V， 导通电阻为94mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 基于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗， 同时具备良好的热稳定性。 适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对功率密度和散热性能有较高要求的电力电子应用场合。