IPW65R095C7XKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IPW65R095C7XKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）达36A， 导通电阻（RDS(on)）为75mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅工艺， 具备低导通损耗与优异的开关性能， 适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高频电力电子设备。 其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与运行稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
31
货期
现货
IPW65R095C7XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 31 |
IPW65R095C7XKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为650V， 连续漏极电流（ID）达36A， 导通电阻（RDS(on)）为75mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件基于碳化硅工艺， 具备低导通损耗与优异的开关性能， 适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高频电力电子设备。 其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与运行稳定性。
IPW65R095C7XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPW65R095C7XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。