IPW65R045C7300XKSA1-HXY

该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID达70A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)典型值为44mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件具备高耐压与低导通损耗特性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景， 可在高频开关条件下保持稳定性能， 适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效能电能变换装置中。