IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力， 漏源电压额定值为650V， 导通电阻典型值为26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的电力管理模块。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
10
货期
现货
IPW65R029CFD7XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPW65R029CFD7XKSA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力， 漏源电压额定值为650V， 导通电阻典型值为26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件利用碳化硅材料特性， 在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的电力管理模块。
IPW65R029CFD7XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPW65R029CFD7XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。