IPW60R080P7-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IPW60R080P7-HXY
这是一款N沟道增强型功率场效应管, 具有650V的漏源击穿电压(VDSS), 可承受较高的电压应力, 适用于高压开关场合。 其连续漏极电流(ID)达43A, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 器件结合了高耐压与低导通电阻的特性, 适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率功率开关模块等应用, 满足对功率密度和热性能有要求的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
10
货期
现货
IPW60R080P7-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPW60R080P7-HXY概述
这是一款N沟道增强型功率场效应管, 具有650V的漏源击穿电压(VDSS), 可承受较高的电压应力, 适用于高压开关场合。 其连续漏极电流(ID)达43A, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 器件结合了高耐压与低导通电阻的特性, 适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率功率开关模块等应用, 满足对功率密度和热性能有要求的设计需求。
IPW60R080P7-HXY特性
暂无产品特性。
IPW60R080P7-HXY应用领域
暂无应用领域。
