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IPW60R080P7-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IPW60R080P7-HXY

这是一款N沟道增强型功率场效应管, 具有650V的漏源击穿电压(VDSS), 可承受较高的电压应力, 适用于高压开关场合。 其连续漏极电流(ID)达43A, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 器件结合了高耐压与低导通电阻的特性, 适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率功率开关模块等应用, 满足对功率密度和热性能有要求的设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

10

货期

现货

IPW60R080P7-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

IPW60R080P7-HXY概述

这是一款N沟道增强型功率场效应管, 具有650V的漏源击穿电压(VDSS), 可承受较高的电压应力, 适用于高压开关场合。 其连续漏极电流(ID)达43A, 导通电阻(RDON)低至75mΩ, 有助于降低导通损耗, 提升系统效率。 器件结合了高耐压与低导通电阻的特性, 适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率功率开关模块等应用, 满足对功率密度和热性能有要求的设计需求。

IPW60R080P7-HXY特性

暂无产品特性。

IPW60R080P7-HXY应用领域

暂无应用领域。

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