IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID达99A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)低至26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件凭借碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性， 在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的动态性能与热稳定性， 适用于对开关速度和能效要求较高的电源系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
4
货期
现货
IPW60R031CFD7XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IPW60R031CFD7XKSA1-HXY概述
该碳化硅场效应管为N沟道结构， 最大漏极电流ID达99A， 漏源击穿电压VDSS为650V， 导通电阻RDS(ON)低至26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件凭借碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性， 在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的动态性能与热稳定性， 适用于对开关速度和能效要求较高的电源系统。
IPW60R031CFD7XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPW60R031CFD7XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。