IPTG210N25NM3FDATMA1
IC
HSOG-8
可供量大可议
IPTG210N25NM3FDATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 具有低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)。 工作温度达175℃。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准， 无卤素。 针对硬换向耐用性进行了优化
品牌
Infineon
封装
HSOG-8
库存
10
货期
现货
IPTG210N25NM3FDATMA1参数
| 封装 | HSOG-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPTG210N25NM3FDATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 具有低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)。 工作温度达175℃。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准， 无卤素。 针对硬换向耐用性进行了优化
IPTG210N25NM3FDATMA1特性
暂无产品特性。
IPTG210N25NM3FDATMA1应用领域
暂无应用领域。