IPTG111N20NM3FDATMA1
IC
HSOG-8
可供量大可议
IPTG111N20NM3FDATMA1
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 具有低 Qrr 的快速二极管 (FD)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 无卤。 针对硬换向耐用性进行优化
品牌
Infineon
封装
HSOG-8
库存
57
货期
现货
IPTG111N20NM3FDATMA1参数
| 封装 | HSOG-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 57 |
IPTG111N20NM3FDATMA1概述
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 具有低 Qrr 的快速二极管 (FD)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 无卤。 针对硬换向耐用性进行优化
IPTG111N20NM3FDATMA1特性
暂无产品特性。
IPTG111N20NM3FDATMA1应用领域
暂无应用领域。