IPTG063N15NM5ATMA1
IC
HSOG-8
可供量大可议
IPTG063N15NM5ATMA1
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低的导通电阻 RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
品牌
Infineon
封装
HSOG-8
库存
5
货期
现货
IPTG063N15NM5ATMA1参数
| 封装 | HSOG-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IPTG063N15NM5ATMA1概述
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低的导通电阻 RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
IPTG063N15NM5ATMA1特性
暂无产品特性。
IPTG063N15NM5ATMA1应用领域
暂无应用领域。