IPTG017N12NM6ATMA1
IC
PG-HSOG-8-1
可供量大可议
IPTG017N12NM6ATMA1
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级
品牌
Infineon
封装
PG-HSOG-8-1
库存
7
货期
现货
IPTG017N12NM6ATMA1参数
| 封装 | PG-HSOG-8-1 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
IPTG017N12NM6ATMA1概述
特性：N- 沟道， 正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低反向恢复电荷 (Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。 针对高频开关和同步整流进行了优化。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级
IPTG017N12NM6ATMA1特性
暂无产品特性。
IPTG017N12NM6ATMA1应用领域
暂无应用领域。