IPTG011N08NM5ATMA1
IC
HSOG-8
可供量大可议
IPTG011N08NM5ATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
品牌
Infineon
封装
HSOG-8
库存
2
货期
现货
IPTG011N08NM5ATMA1参数
| 封装 | HSOG-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPTG011N08NM5ATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
IPTG011N08NM5ATMA1特性
暂无产品特性。
IPTG011N08NM5ATMA1应用领域
暂无应用领域。