IPTC020N13NM6ATMA1
IC
HDSOP-16
可供量大可议
IPTC020N13NM6ATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 100%雪崩测试。 175℃工作温度。 针对电机驱动和电池供电应用进行优化。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
品牌
Infineon
封装
HDSOP-16
库存
10
货期
现货
IPTC020N13NM6ATMA1参数
| 封装 | HDSOP-16 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IPTC020N13NM6ATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 100%雪崩测试。 175℃工作温度。 针对电机驱动和电池供电应用进行优化。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
IPTC020N13NM6ATMA1特性
暂无产品特性。
IPTC020N13NM6ATMA1应用领域
暂无应用领域。