IPTC017N12NM6ATMA1
IC
HDSOP-16
可供量大可议
IPTC017N12NM6ATMA1
特性：N沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷Qrr。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关和顶部散热进行了优化。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准归类为MSL 1
品牌
Infineon
封装
HDSOP-16
库存
4
货期
现货
IPTC017N12NM6ATMA1参数
| 封装 | HDSOP-16 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IPTC017N12NM6ATMA1概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷Qrr。 高雪崩能量额定值。 175°C工作温度。 针对高频开关和顶部散热进行了优化。 无铅镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准归类为MSL 1
IPTC017N12NM6ATMA1特性
暂无产品特性。
IPTC017N12NM6ATMA1应用领域
暂无应用领域。