IPT65R080CFD7XTMA1
自营可供
IC
HSOF-8
IPT65R080CFD7XTMA1
最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级， 是650V CoolMOS™ CFD2的继任者。 由于改进了开关性能和出色的热性能， 该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。 作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分， 这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。 该技术满足了最高的效率和可靠性标准， 并且支持高功率密度解决方案。
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
交期
现货
批次
—
IPT65R080CFD7XTMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 201W |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品名称 | 650V CoolMOSTM CFD7超结功率器件 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 2.513nF |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
| 商品型号 | IPT65R080CFD7XTMA1 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0009775 |
IPT65R080CFD7XTMA1概述
最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级, 是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。 凭借改进的开关性能和出色的热性能, 650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中实现了最高效率。 作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分, 这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。 CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准, 并且支持高功率密度解决方案。
IPT65R080CFD7XTMA1特性
- 超快体二极管
- 650 V击穿电压
- 同类最佳的RDS(on)
- 降低开关损耗
- RDS(on)随温度变化小
IPT65R080CFD7XTMA1应用领域
- 针对移相全桥(ZVS)、LLC应用进行优化
- 服务器、电信、电动汽车充电、太阳能