IPT111N20NFDATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT111N20NFDATMA1
特性：N 沟道， 正常电平。 快速二极管 (FD)， 降低 Qₙ。 针对硬换向坚固性进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅负载镀层； 符合 RelUS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
1
货期
现货
IPT111N20NFDATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPT111N20NFDATMA1概述
特性：N 沟道， 正常电平。 快速二极管 (FD)， 降低 Qₙ。 针对硬换向坚固性进行优化。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅负载镀层； 符合 RelUS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
IPT111N20NFDATMA1特性
暂无产品特性。
IPT111N20NFDATMA1应用领域
暂无应用领域。