IPT059N15N3ATMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT059N15N3ATMA1
特性：N沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度达175°C。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 符合JEDEC标准。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
2
货期
现货
IPT059N15N3ATMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
IPT059N15N3ATMA1概述
特性：N沟道， 标准电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度达175°C。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 符合JEDEC标准。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPT059N15N3ATMA1特性
暂无产品特性。
IPT059N15N3ATMA1应用领域
暂无应用领域。