IPT030N12N3G
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT030N12N3G
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 100%雪崩测试。 针对低压电机驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 适用于电池管理开关应用。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
20
货期
现货
IPT030N12N3G参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IPT030N12N3G概述
特性：N沟道， 正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（FOM）。 100%雪崩测试。 针对低压电机驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 适用于电池管理开关应用。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
IPT030N12N3G特性
暂无产品特性。
IPT030N12N3G应用领域
暂无应用领域。