IPT029N08N5
IC
HSOF-8
可供量大可议
IPT029N08N5
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
1
货期
现货
IPT029N08N5参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IPT029N08N5概述
特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
IPT029N08N5特性
暂无产品特性。
IPT029N08N5应用领域
暂无应用领域。