IPT022N10NF2SATMA1-HXY
IC
TOLL-8
可供量大可议
IPT022N10NF2SATMA1-HXY
该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达300A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率应用场景。 其超低导通电阻仅为2mΩ, 有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件具有优良的开关特性和热稳定性, 可支持大电流快速切换。 典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路, 适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TOLL-8
库存
485
货期
现货
IPT022N10NF2SATMA1-HXY参数
| 封装 | TOLL-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 485 |
IPT022N10NF2SATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达300A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率应用场景。 其超低导通电阻仅为2mΩ, 有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件具有优良的开关特性和热稳定性, 可支持大电流快速切换。 典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路, 适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。
IPT022N10NF2SATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IPT022N10NF2SATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
