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IPT022N10NF2SATMA1-HXY
IC

TOLL-8

可供量大可议

IPT022N10NF2SATMA1-HXY

该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达300A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率应用场景。 其超低导通电阻仅为2mΩ, 有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件具有优良的开关特性和热稳定性, 可支持大电流快速切换。 典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路, 适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TOLL-8

库存

485

货期

现货

IPT022N10NF2SATMA1-HXY参数

封装TOLL-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存485

IPT022N10NF2SATMA1-HXY概述

该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达300A的连续漏极电流(ID)能力, 适用于高功率应用场景。 其超低导通电阻仅为2mΩ, 有效降低导通损耗, 提升系统能效。 器件具有优良的开关特性和热稳定性, 可支持大电流快速切换。 典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路, 适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。

IPT022N10NF2SATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

IPT022N10NF2SATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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